场效应管电机驱动

agogos

不得不说，把15页都看完了，也没什么建设性意见。。悲哀。。

agogos

kmani 发表于 2012-6-12 05:10
你要什么建设性的意见？如何驱动4N MOS？
我想直接用光耦，光耦一端接PWM，另一端接7.2V的VCC，7.2V足够 ...

这么老的帖子都被翻出来了。。。。
如果你想达到最好的驱动效果，那么就4-N吧。。。。
光耦不行的，7.2V不足以开启上桥臂MOS管（具体原因自己想），或者说开启不完全。。
之前也想过升压到20V去开上桥臂，但是20V得注意光耦有没有这么快得电平翻转。。。没实践过，所以不清楚。。。
而且光耦的开关频率也要注意下，貌似后面得加个小电容什么的。。
给点建议：最好不要用数字电路驱动4-N桥，也就是他们说的反向器啊，什么非门之类的。。因为灌流能力差。。。关断MOS管就慢了。。。
哦。。还有一点忘掉了。。。死区是4-N桥成败的关键点。。一定要注意。。。。