新人关于IR2104S的问题，为什么IR2104s的的电路中电阻电容，二极管有什么作用，应多大

电学之光 · 发表于 2016-1-6 23:40:05

栅极电阻一般10欧左右就可以，mos导通的实质是对GS结电容充电，加电阻可以限制充电速度防止充电过快产生振荡，GS之间最好并联一个10k的电阻用来关断期间结电容放电。你图中D6，C1分别是自举二极管，自举电容，双N-MOS构成的半桥驱动时，导通时高端mos的DS之间压差几乎为0，S极电压几乎和电源电压相同，G极电压要高压S极，所以需要自举升压来提供放大器的供电保证高端mos的导通，自举二极管选肖特基二极管，电容容值大概计算下，不能太大太小，选用低ESR的陶瓷电容就可以了。与mos并联的二极管是不必要的，因为mos集成了二极管，即体二极管，但有时比如单mo驱动感性负载，感性负载两端并联肖特基是必须的，因为电感有可能产生很大的电压尖峰击穿mos(V = L*di/dt)

电学之光 · 发表于 2016-1-6 23:41:20

单mos驱动，打掉了s

电学之光 · 发表于 2016-1-6 23:41:37

单mos驱动，打掉了s

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新人关于IR2104S的问题，为什么IR2104s的的电路中电阻电容，二极管有什么作用，应多大

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