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【惨痛代价】MOS管驱动电路

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发表于 2014-12-28 10:54:15 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 天翊 于 2014-12-28 10:53 编辑

   首先,这都是由于疏忽造成的,一失足成千古恨。避免大家跟我犯同样的错误,所以就贴出来了!不能纯粹的将MOS管当做开关开哦。
   我是学机械的,电路方面基础较差,可能分析不太正确,请见谅!
    两幅图中,PWM为幅值为2.8V的方波信号,两幅图中,不同之处就是:负载的位置。一般MOS驱动电路采用图1,而我由于疏忽,再绘制电路原理图的时候就弄成了图2,那么负载的位置不同会带来什么样的影响呢?
    图1中,PWM信号为高时(即VGS=2.8V),MOS管导通,MOS管D端同电源地导通,4.2V电压全部加载在负载上,这就是我们想要的。图2中,PWM信号为高时(MOS管G极电压为2.8V),MOS管部分导通,MOS管S极电压会比MOS管G极电压低0.6V左右(不同MOS管,有所不同,也就是MOS管最小导通电压),也就是说VS=2.2V左右,那么加载在负载两端的电压也就是2.2V左右了,这肯定不是我们想要的了。至于为什么,我觉得是:MOS管要导通必须满足条件VGS>最小导通电压(SI2302就是0.6V),而当VGS=0.6V左右时,只能部分导通,故MOS管D极和S极会有压降就很正常了。所以在设计MOS管驱动电路时,要多加小心,尽管MOS管数据手册都有说明,但是一般还是很少有人留意的啦。
      说到这里,我就联想到MOS管组成的全桥驱动电路了。
      为什么要升压到12V左右去控制MOS管的G极了。原因很简单,图中MOS3S极直接接电源地,故它对G极电压要求就是6V(完全导通)就行,而MOS1呢?MOS1如果导通,那么MOS1S极对地电压就是7.2V了,MOS1导通条件:VGS>最小导通电压,故MOS1G极电压必须至少要比7.2V高出一个导通电压了,当然12V就能满足需求了。
    分析完毕!:lol:lol:lol
    继续撸车了。


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 楼主| 发表于 2014-12-28 11:08:02 | 显示全部楼层
:lol:lol:lol
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发表于 2014-12-28 11:12:28 | 显示全部楼层
呵呵,这个注意提的好的。之前我用MOS管驱动时,也犯过这样子的错误。但是没有考虑那么的多,就是在负载时换了一下位置,因为低端驱动很少用的,都是高端驱动负载的,高端多为驱动极可以避免很多的考虑因素。而且,我用的MOS管作为驱动是都是在G极另加了一个前级三极管开关驱动电路。自我感觉挺好用的。
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 楼主| 发表于 2014-12-28 11:14:49 | 显示全部楼层
知识阅览者 发表于 2014-12-28 11:12
呵呵,这个注意提的好的。之前我用MOS管驱动时,也犯过这样子的错误。但是没有考虑那么的多,就是在负载时换 ...

一看就很专业。
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发表于 2014-12-28 11:37:55 | 显示全部楼层
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这个分析的很好,当时我们选择的时候,就是对这个不是很了解,所以就没有mos管,选择的是驱动芯片。分析的真棒:lol:victory:
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