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标题: 关于CodeWarrior的问题 [打印本页]

作者: rollvin 时间: 2008-4-17 07:18
标题: 关于CodeWarrior的问题
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>我用的是4.5版本的CodeWarrior，新建一个项目后只在main.c里面加了两行代码，就是点亮其中一个发光二极管，把程序通过串口下到DG128，然后在C029处运行，但是二极管一点反应都没有，我听说要修改一下项目里面某个文件的一些代码，但又不知道怎么修改，请高手请教一下。

作者: auto 时间: 2008-4-19 17:36
标题: Re:关于CodeWarrior的问题
不用修改的，把你的代码发上来！

作者: rollvin 时间: 2008-4-21 02:35
标题: Re:关于CodeWarrior的问题
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>以下是我在网上搜到的： /*************************/   工程建立以后，需要定义装载地址。default.prm文件用于定义目标代码的装载地址，用户应当根据使用单片机的内存分配情况修改这个文件。CodeWarrior 自动生成的 .prm 文件默认MC9S12DG128 的RAM 在：  RAM = READ_WRITE 0x0400 TO 0x1FFF;     这个默认区间必须修改，因为在这一空间有 1K 的I/O 寄存器空间和2K EEPROM 空间。使用默认定义会丢失1K RAM 和 2K EEPROM。  我们在监控程序中修改RAM空间：   RAM = READ_WRITE 0x2000 TO 0x3FFF;  当然也可以修改到：   RAM = READ_WRITE 0x1000 TO 0x2FFF。 建议用户采用我们的定义。      另外，我们使用：      STACKTOP 替代 STACKSIZE     因为STACKSIZE 0x100 在RAM低端留 0x100 空间，而使用 STACKTOP 0x3F00 可以将SP定义到RAM 高端。但是如果采用这种定义的方法，需要在前面定义RAM的时候，定义修改为：RAM=READ_WRITE 0x2000 TO 0x3EFF。这样，工程连接的时候才不会出现错误。     另外还需要对于工程文件中 Start12.c中函数：原文位置 void __interrupt 0 _Startup(void) 中原文位置 #ifdef _HCS12_SERIALMON 原文位置 ....... 原文位置 ....... 原文位置 #endif 两句宏命令注释掉，使得其中的对于EEPROM,RAM起始位置控制寄存器初始化语句有效。这样，下载后程序可以运行正常。 　　上述修改在大奖赛的官方网站上已有详细说明。/*********************/我照着修改但是不行

作者: superyongzhe 时间: 2008-4-21 20:02
标题: Re:关于CodeWarrior的问题
其实不用改，prm文件改不好的话，晶振会停振，不运行。你看看单片机是否运行了

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